文章摘要
引用本文:廖成浩,赖云锋,周海芳.低功耗氧化铪基柔性透明阻变存储器制备及其性能研究[J].福州大学学报(自然科学版),2018,46(1):70~74
低功耗氧化铪基柔性透明阻变存储器制备及其性能研究
Study on fully transparent HfOx-based RRAM with lower switching power on flexible substrates
  
DOI:10.7631/issn.1000-2243.16419
中文关键词: 阻变存储器  柔性衬底  透明氧化物  低功耗
英文关键词: resistive random access memory  flexible substrate  transparent oxide  low power
基金项目:
作者单位
廖成浩 福州大学物理与信息工程学院福建 福州 350116 
赖云锋 福州大学物理与信息工程学院福建 福州 350116 
周海芳 福州大学物理与信息工程学院福建 福州 350116 
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中文摘要:
      利用微电子加工工艺在柔性PET衬底上制备透明氧化铪基阻变存储器. 采用氧化铪/氧化锌双介质层将存储器转变电流降低至μA量级,从而实现柔性透明存储器的低功耗(μW量级). 研究表明,双介质层阻变存储器不仅具有稳定、可重复的阻变存储特性,还具有一定抗弯折性能和较高的热稳定性. 进一步研究表明,由于氧化铪/氧化锌界面势垒的存在,抑制了介质中电荷的输运,从而达到器件低电流工作的效果.
英文摘要:
      Transparent HfOx-based RRAMs were deposited onto flexible PET substrates with micro-fabrication. HfOx/ZnO double layer was used as storage medium to reduce switching current to μA,and the switching power is reduced to μW as well. The double-layer RRAM exhibits stable and reversible resistive switching features. It also presents anti-bending properties and desirable thermal stability. Further studies show a schottky barrier at the HfOx/ZnO interface would suppress charge transport in the storage medium thus to reduce switching current.
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